賀德克HYDAC壓力傳感器由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術(shù)將碳原子注入單晶硅內(nèi)，便可獲得優(yōu)質(zhì)的立方體結(jié)構(gòu)的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結(jié)構(gòu)不同，可表示為β-SiC。β表示不同形態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。用離子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化學及電學特性優(yōu)異，表現(xiàn)出高強度、大剛度、內(nèi)部殘余應(yīng)力很低、化學惰性*、較寬的禁帶寬度（近乎硅的1-2倍）及較高的壓阻系數(shù)的特性；因此，SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射，并具有穩(wěn)定的電學性質(zhì)。賀德克HYDAC壓力傳感器非常適合在高溫、惡劣環(huán)境下工作的微機電選擇使用。 
賀德克HYDAC壓力傳感器可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達到準確調(diào)整阻值的特點。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時，利用多晶硅膜這些電學特性，有時比只用單晶硅更有價值。例如，利用機械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片，在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2，再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型壓力傳感器，賀德克HYDAC壓力傳感器發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢，其工作高溫至少可達200℃，甚至300℃；低溫為-60℃。 
賀德克HYDAC壓力傳感器具有較高的強度/密度比和較高的剛度/密度比。單晶硅具有很好的熱導性，是不銹鋼的5倍，而熱膨脹系數(shù)則不到不銹鋼的1/7，能很好地和低膨脹Invar合金連接，并避免熱應(yīng)力產(chǎn)生。單晶硅為立方晶體，是各向異性材料。許多機械特性和電子特性取決于晶向，如彈性模量和壓阻效應(yīng)等。單晶硅的電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)高。在同樣的輸入下，可以得到比金屬應(yīng)變計更高的信號輸出，一般為金屬的10-100倍，能在10^-6級甚至10^-8級上敏感輸入信號。賀德克HYDAC壓力傳感器硅材料的制造工藝與集成電路工藝有很好的兼容性，便于微型化、集成化及批量生產(chǎn)。硅可以用許多材料覆蓋，如氮化硅，因而能獲得優(yōu)異的防腐介質(zhì)的保護。具有較好的耐磨性。